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TSM4ND60CI RLG /MOSFET 600V 4A Single N-Chan Pwr MOSFET
TSM4ND60CI RLG的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Taiwan Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:4 A

Rds On-漏源导通电阻:2.2 Ohms

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

配置:Single

封装:Tube

系列:TSM

晶体管类型:Single N-Channel Power MOSFET

商标:Taiwan Semiconductor

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

供应商TSM4ND60CI RLG
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